甚么是GaN功率器件?

GaN（Gallium Nitride：氮化镓）是一种化合物半导体，操纵这类GaN的晶体管是被称为“GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor：高电子迁徙率晶体管”的功率器件。
与今朝支流的半导体材料Si（Silicon：硅）比拟，接纳GaN这类材料的功率器件具备导通消耗少（低导通电阻）和高速开关机能优良的特色，能够或许知足市场对进步功率转换效力和小型化的须要。
SiC（Silicon Carbide：碳化硅）功率器件撑持在高电压前提下高效任务。GaN HEMT在中等耐压的高频规模已取得日趋普遍的操纵。
为了更好地激起出GaN HEMT的机能，ROHM供给将GaN HEMT和栅极驱动器IC一体化封装的Power Stage IC，并且正在打算开辟在此根本大将节制IC也一体化封装的产物。
对于操纵，合用于通讯基站和数据中间的办事器电源、产业装备用的机电和AC适配器等浩繁操纵。

Si/GaN/SiC晶体管的分栖共存

功率器件的器件布局和所操纵的材料（Si/GaN/SiC）差别，合用的功率容量和任务频段也差别。
一向以来Si是半导体器件的首要材料，但因为市场对高频任务和大功率的须要，GaN和SiC起头遭到存眷。
与Si比拟，GaN和SiC的带隙更宽，在耐压、热导率和电子迁徙率方面更具上风，可知足对半导体材料的请求——在低温、大电流、高电压和高频次的情况下任务。
别的，SiC MOSFET在高电压规模和大电流前提下的特征表现优良，而GaN HEMT则在中等耐压规模具备超卓的介电击穿强度和电子迁徙率，可完成低导通电阻和高速开关（高频任务）。
是以，GaN HEMT在中等耐压高频规模的操纵日趋普遍。

操纵产物的小型化

操纵GaN HEMT的高速开关机能，可将电源电路和机电电路中操纵的较大元器件（如线圈和变压器）替代成尺寸更小的元器件，这将很是有助于完成更小、更轻的电源。
比方，接纳了GaN HEMT的AC适配器，体积比接纳Si MOSFET的AC适配器更小。