SiC（碳化硅）肖特基二极管_产物搜刮成果_罗姆半导体团体(ROHM Semiconductor)

ROHM Parametric

SiC（碳化硅）肖特基二极管

SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD）具备很小的总电荷（Qc），低开关消耗且高速开关任务。是以，它被普遍用于电源的PFC电路中。另外，与硅基快规复二极管的trr（反向规复时候）会随温度的下降而增添差别，碳化硅（SiC）器件可坚持恒定的特征，从而改良了电路机能。制作商可以或许减小产业装备和花费类电子产物的尺寸，很是合适在功率因数校订电路和逆变器中利用。

罗姆已宣布的第3代SiC SBD的SCS3系列可以或许供给更大的浪涌电流容量，同时还能进一步下降第2代SBD的正向电压。