GaN HEMT_产物搜刮成果_罗姆半导体团体(ROHM Semiconductor)

ROHM Parametric

GaN HEMT

GaN（氮化镓）是一种化合物半导体资料，作为下一代功率器件用的资料被寄与厚望。与以往的Si器件比拟，其开关机能和高频机能加倍超卓，因此在市场上的利用日趋普遍。
不只如斯，其导通电阻也低于Si器件，无望助力浩繁利用完成更低功耗和小型化。

150V GaN HEMT

ROHM胜利地将最大栅-源额外电压值进步至8V，产物很是合用于包含基站和数据中间在内的浩繁产业装备。

650V GaN HEMT

作为650V耐压的GaN器件，完成了业内超卓的FOM（Figure of Merit），有助于进步电源效力，还可大大下降开关消耗，助力各类电源体系进一步进步效力。

ROHM将有助于利用产物的节能和小型化的GaN器件定名为“EcoGaN™系列”，并一直努力于进一步进步器件的机能。别的，ROHM不只努力于元器件的开辟，还与业内相干企业主动成立计谋协作火伴干系并鞭策结合开辟，经由过程助力利用产物的效力晋升和小型化，延续为处置社会题目进献气力。
* EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的牌号或注册牌号。