若何用好GaN功率器件
要想激起出GaN HEMT高速开关的机能，须要具有能够或许驾轻就熟的手艺，这一点很是主要。具体而言，是须要超高速驱动栅极驱动器IC和撑持高速脉冲节制的节制器IC。
了处置这个课题，ROHM推出了将GaN HEMT和栅极驱动器IC一体化封装的“Power Stage IC”产物。
利用Power Stage IC，无需停止烦琐的驱动调剂，能够轻松替代Si MOSFET。
Power Stage IC提要
GaN HEMT和栅极驱动用驱动器IC一体化封装
无需停止烦琐的驱动调剂，可更大水平地激起出GaN HEMT的机能
削减相干元器件的数目
半导体制作商ROHM出产的Power Stage IC中内置了相干的核心元器件，有助于削减相干元器件的数目和装置面积并下降装置本钱。
