甚么叫SiC功率器件？
甚么叫SiC功率器件？
- SiC半导体
SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）组成的化合物半导体资料。其绝缘击穿场强度是Si的10倍，禁带宽度是Si的3倍，基于这些上风，SiC作为一种超出Si极限的功率元器件资料被寄与厚望。 - SiC SBD
利用SiC能够或许经由过程具备高速特色的器件布局——SBD（肖特基势垒二极管）布局完成600V以上的高耐压二极管。是以，用SiC SBD替代FRD（疾速规复二极管），能够或许明显削减反向规复消耗。 - SiC-MOSFET
SiC器件的漂移层电阻比Si器件低，是以能够或许经由过程具备高速器件布局特色的MOSFET同时完成高耐压和低阻值。 - SiC功率模块
搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的SiC功率模块可明显下降由IGBT的尾电流和FRD的反向规复电流引发的开关消耗。