硅电容器和多层陶瓷电容器（MLCC）的比拟
DC偏置特征
硅电容器是一种电容量不变性很是超卓的电容器，即便施加电压，其电容量也几近不会发生变更。
多层陶瓷电容器（MLCC）固然温度弥补型产物具备和硅电容器一样的特征，但高介电常数型产物的电容量则会因施加电压而大幅降落。
是以，操纵高介电常数MLCC时，在设想阶段就须要斟酌电压施加所激发的电容量降落题目。
温度特征
硅电容器是一种电容量不变性很是超卓的电容器，即便温度发生变更，其电容量也几近不变。
多层陶瓷电容器（MLCC）固然温度弥补型产物具备和硅电容器一样的特征，但高介电常数型产物的电容量则会因温度变更而发生明显变更。
是以，操纵高介电常数MLCC时，在设想阶段就须要斟酌温度所激发的电容质变更情况。
另外，与通俗的MLCC比拟，硅电容器的操纵温度规模更宽，在更高温度情况下，其电容量也很是不变。
啸叫
啸叫多发现于产物终究评价阶段，是以常常呈现在操纵产物行将推出之际须要告急接纳应答办法的状态，
由此能够带来庞大的丧失。因为硅电容器产物自身并不会发生谐振，以是无需担忧啸叫的题目。
因为陶瓷电容器属于压电元件，是以在电压发生变更时，陶瓷电容器会前后摆布振动，陶瓷电容器自身和（或）电路板就会发生谐振，从而组成啸叫。
将电容器
改换为硅电容器
是有用办法之一
硅电容器不具备压电效应。
是以，产物自身不会因电压变更而发生谐振，无啸叫题目。
产物高度
硅电容器经由过程操纵薄膜半导体手艺，可组成立体布局或沟槽布局，能够有用下降产物高度。
比方，0402尺寸（L：0.4mm×W：0.2mm）的产物能够将高度H节制在0.1mm之内。
而多层陶瓷电容器（MLCC）为了晋升电容量是将印刷有内电极的陶瓷膜片叠压在一路的，以是很难下降产物的高度。
装置时的贴片立碑景象（曼哈顿景象、立碑景象）
装置时呈现的贴片立碑景象，凡是也被称为“曼哈顿景象”或“立碑景象”。
形成这类景象的缘由有良多，如焊料量偏差、焊料熔融时候偏差、装置时产物地位偏移等。
因为硅电容器接纳的是底面电极布局，正面无电极，产物在程度标的目标不会发生拉力，以是布局上能够有用防止回流焊致使的贴片立碑景象。
而多层陶瓷电容器（MLCC）因为接纳的是多层电极布局，产物正面有电极，是以会发生程度标的目标的拉力。
此时，因为前述缘由，就有能够发生回流焊激发的贴片立碑景象。
MLCC：多层电极布局
产物正面和底面会被焊料拉扯，是以在红色箭头标的目标会发生感化力。若是是多层电极，电极和焊料的打仗面积差更大。
若是电极间的偏差大，电极上就会发生多个沿红色箭头标的目标的拉力，终究电极会被拉向打仗面积较大的一侧，能够发生贴片立碑景象。
硅电容器：底面电极布局
正面不电极，以是只会发生朝向电路板正下方的力。
因为接纳的是底面电极布局，以是不轻易发生贴片立碑景象。
