导通电阻

何谓导通电阻？

MOSFET任务（启动）时，漏极和源极间的阻值称为导通电阻 （RDS(ON)）。
数值越小，任务时的耗损（功率耗损）越小。

对于导通电阻的电气特征

晶体管的耗损功率用集电极饱和电压 （V_CE(sat)） 乘以集电极电流（I_C）表现。

（集电极耗损P_C））＝（集电极饱和电压V_CE(sat) ）x（集电极电流I_C）

MOSFET的耗损功率是用漏极源极间导通电阻 （R_DS(ON)） 计较。
MOSFET耗损的功率P_D用MOSFET本身具备的导通电阻乘以漏极电流（I_D)的平方表现。

（功率P_D）＝（导通电阻R_DS(ON) ） x （漏极电流I_D）²

此功率将变成热量披发进来。
MOSFET的导通电阻普通在Ω极以下，与普通的晶体管比拟，耗损功率小。即发烧小，散热对策简略。

如左上图所示，栅极源极间电压越高，导通电阻越小。别的，栅极源极间电压不异的前提下，导通电阻因电流差别而差别。计较功率耗损时，须要斟酌栅极源极间电压和漏极电流，挑选合适的导通电阻。
别的，如右上图所示，导通电阻因温度变更而变更，是以须要注重这一特征。

导通电阻比拟

普通MOSFET的芯片尺寸（外表面积）越大，导通电阻越小。
下图显现了差别尺寸的小型封装前提下，罗姆最小导通电阻值的比拟。
封装尺寸越大可搭载的芯片尺寸就越大，是以导通电阻越小。
罗姆针对各类差别的封装尺寸，备有低导通电阻的产物。
挑选更大尺寸的封装，导通电阻会更小。

各封装的搜刮页请点这里

DFN0604 (0.6x0.4mm)

DFN1006 (1.0x0.6mm)

DFN2020 (2.0x2.0mm)