甚么是IGBT？IGBT(绝缘栅双极晶体管)

甚么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)？

IGBT是　"Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。
IGBT被归类为功率半导体元器件晶体管范畴。

功率半导体元器件的特色

除IGBT外，功率半导体元器件（晶体管范畴）的代表产物另有MOSFET、BIPOLAR等，它们首要被用作半导体开关。
按照其别离可撑持的开关速率，BIPOLAR合用于中速开关，MOSFET则合用于高频范畴。
IGBT是输出部为MOSFET布局、输出部为BIPOLAR布局的元器件，经由过程这二者的复合化，既是利用电子与空穴两种载体的双极元件，同时也是统筹低饱和电压（与功率MOSFET的低导通电阻相称）和较快的开关特征的晶体管。
虽然其具备较快的开关特征，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的缺点。

【功率元器件的根基布局与特色】

	MOSFET	BIPOLAR	IGBT
根基布局
节制	栅极电压	基极电流	栅极电压
允许电流	✕	△	○
开关	○	✕	△
导通电阻	✕	△	○

MOSFET

是指半导体元件的布局为Metal（金属）- Oxide（半导体氧化物）- Semiconductor（半导体）的三层布局的Field-Effect Transistor（场效应晶体管）。

BIPOLAR

是指利用了双极性元件，将称为p型和n型的两种半导体组成n-p-n及p-n-p布局的电流任务型晶体管。