薄膜压电MEMS代工
承接开辟和量产任务
首要手艺和办事
包含操纵了硅晶圆和SOI晶圆等的MEMS器件的工艺计划、高机能压电薄膜的出产建造、压电MEMS器件的代加工和设想撑持等在内，罗姆可供给从试制、开辟到量产的全程撑持。即便想领会罗姆官网和产物目次中未列出的个体工艺，也接待随时接洽。
量产和开辟出产线
在蓝碧石半导体宫崎工场，罗姆扶植了将自有薄膜压电手艺与LSI出产线相融会的6英寸MEMS出产线。
| 地位 | 宫崎县宫崎市清武町 |
|---|---|
| 无尘车间 | 压电MEMS公用局部 1,360m2 |
| 洁净度品级 | Class 1-1,000 |
| 晶圆直径 | 6英寸 |
| 供给的办事 | 开辟样品试制、量产 |
| ISO等 | ISO9001, ISO14001 |
| 开辟和量产经历 | 履行器、传感器 |
| 工艺手艺 | PZT压电薄膜、双面Si加工、晶圆键合 |
从客户征询到量产的流程
用公用MEMS出产线停止代工出产，撑持从产物试制到量产的全部进程！
*以上流程为凡是流程示例，现实流程将按照每一个名目具体协商肯定。
如需征询、拜托或提出请求，请随时填写征询页面上的表格与咱们接洽。
具有的装备
经由进程在出产线上装备MEMS工艺所需的装备和阐发东西，能够或许为各类器件提出工艺倡议并完成品德晋升。
| 工艺分类 | 装备 |
|---|---|
| 成膜 | |
| 溶胶-凝胶（PZT类） | |
| PE-CVD (SiO2、SiN) | |
| LP-CVD (SiO2、SiN、poly-Si) | |
| 热氧化炉 | |
| 溅镀（Pt、Ir、IrO2、AlCu、Ti、TiN 等） | |
| ALD(Atomic Layer Deposition) (Al2O3、SiO2、Ta2O5) |
|
| 防水涂层成膜 | |
| 光刻 | |
| 涂覆、显影 | |
| MPA (Mirror Projection Aligner) | |
| 双面校准器、IR步进机、i-line步进式光刻机 | |
| 干刻蚀 | |
| 深硅刻蚀 | |
| 层间膜RIE装配 | |
| PZT和电极用的ICP刻蚀机 | |
| 湿刻蚀 | |
| 硅氧化膜刻蚀 | |
| Au离子刻蚀 | |
| 硅各向同性刻蚀 | |
| 晶圆键合 | |
| 树脂键合 | |
| 阳极键合 |
| 工艺分类 | 装备 |
|---|---|
| 减薄 | |
| 全主动晶圆贴膜机 （UV胶膜、热剥离膜、聚酰亚胺膜等） |
|
| 剥离、洗濯 | |
| 灰化 | |
| 无机物、聚合物剥离 | |
| 酸洗、洗濯机 | |
| 划片等 | |
| 切割、二流体洗濯 | |
| 晶圆切割机（Circle Cut Dicer） | |
| 计量相干 | |
| 阐发SEM、测长SEM、离子铣削 | |
| 光学测长仪 | |
| 误差丈量仪 | |
| 可见光/红外光/激光显微镜 | |
| X射线衍射仪 | |
| 激光式位移丈量装配 | |
| X射线荧光阐发仪 | |
| 打仗式台阶仪、光学干与仪 | |
| 椭偏仪 | |
| 主动表面检测装备（撑持正背面穿透晶圆） | |
| 各类电气特征评价装配 （探针台、测试仪） |
工艺才能
即便想领会罗姆官网和产物目次中未列出的个体工艺，也接待随时接洽。
| 工序 | 工艺规格 | 数值 | 备注 |
|---|---|---|---|
| 光刻 | 最小线宽（操纵步进器） 最小线宽（操纵校准器） |
1μm 3μm |
|
| 深硅刻蚀 | 侧壁刻蚀倾斜度 刻蚀速度面内平均性 尺寸精度 |
90±1度 ≤5% ±0.1μm （均取决于Pattern） |
可停止电路板过孔加工 可停止正反两面加工 （完好口） 可停止侧壁蚀刻倾斜度节制 |
| TMAH刻蚀 | 深度 | ≤面内5% | 可停止电路板过孔加工 可停止正反两面加工 |
| PZT成膜 | 膜厚精度 | 晶圆内 ±1.0% 晶圆间、批次间 ±2.5% |
搀杂示例（Nb、La） |
| PZT刻蚀 | 加工线宽精度 刻蚀速度面内平均性 |
±1μm ≤5% （PZT厚度~3μm，有侧壁刻蚀倾斜度） |
撑持Pt Stop |
| 溅镀 | 膜厚平均性 | ≤面内4% | Pt、Ir、IrO2、AlCu、Ti、TiN 等 |
| CVD | 膜厚平均性 | ≤面内4% | SiO2、SiN |
| ALD | 膜厚平均性 | ≤面内5% | Al2O3、Ta2O5、SiO2 |
| 树脂键合 | 瞄准精度 树脂厚度 |
±5μm 1～3μm |
环氧树脂、BCB |
| 阳极键合 | 密封内部压力 | >0.01Pa | 硅/玻璃 |
试制和量产事迹示例
基于罗姆在喷头范畴的量产事迹和对MEMS手艺的研讨，罗姆今朝正在与客户结合开辟和试制评价小型、低功耗和高位移履行器产物。
工艺手艺示例
PZT薄膜的机能
【PZT stack截面】
罗姆于1998年在环球领先胜利完成铁电存储器的量产。
在对硅晶圆操纵PZT薄膜方面，具有多年的经历和手艺堆集。
罗姆供给的溶胶-凝胶PZT膜是操纵自行研发的出产装备成膜的，可完成天下超高水准的压机电能和靠得住性。
| 名目 | 值 | 前提 |
|---|---|---|
| 压电常数：e31,f (-C/m2) | 19 | 10V/μm |
| 逆压电常数：d31 (-pm/V) | 260 | 10V/μm |
| 介电强度：(V/μm) | >75 | 室温 （受评价电源影响） |
| 绝缘寿命：（年） | >10 | 20V/μm, 105℃, （经由进程加快实验预算） |
| 轮回寿命：（次） | >1x1010 | 10V/μm, 位移削减10% （单极脉冲） |
| 泄电流密度：(A/cm2) | <1x10-7 | 20V/μm |
晶圆级键合手艺
【晶圆键合截面】
【晶圆键合截面/台阶上】
罗姆具有多种硅晶圆键合手艺，即便是布局庞杂的器件也能够或许停止晶圆级键合。
*可供给粘合剂涂覆和键合工艺处置打算。
深硅刻蚀
【400μm Si贯串】
【硅晶圆加工】
罗姆具有多家公司的硅深入蚀装备（包含自行开辟的装备），可为产物供给最好的硅刻蚀工艺（外形、公役、异物程度、本钱）处置打算。
薄晶圆处置手艺
【薄硅晶圆】
罗姆自行开辟了晶圆运输装备，撑持薄硅晶圆相干的工艺和晶圆键合。
【TAIKO磨削晶圆】
ALD掩护膜构成
【硅外形截面】
即便在有庞杂高低外形的器件上，也能够或许操纵*ALD构成平均的掩护膜。
*ALD：Atomic Layer Deposition（原子层堆积）
掩护膜：掩护装备免受内部身分（Ink、打仗形成的磨损、带电等）的影响。
单击此处查抄ALD成膜的具体先容 -电子小百科
压电器件的仿真阐发
【硅悬臂梁截面】
罗姆能够或许对压电器件停止无限元仿真，并为各类器件供给优化的布局和工艺处置打算。
