
评价板可轻松评价ROHM的 SiC肖特基势垒二极管、SiC MOSFET、“全SiC”功率模块(集成了SiC SBD和MOSFET)和高耐热功率模块等系列产物。
这些小型、高效的半导体器件可以或许或许明显减小终究产物的尺寸,与评价板共同利用还可以或许赞助客户停止原型利用法式和初始开辟。
评价板产物声势
| Category | SiC Product | Image | Part No. | Maker | 产物概况 | User Guide | 参考板获得 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SiC-MOS | Evaluation Board |
SCT4XXX series Trench(4th Generation) TO-247-N | ![]() |
NEW P04SCT4018KE-EVK-001 |
ROHM | 概况 | 从网售平台采办 | |
| SCT4XXX series Trench(4th Generation) TO-247-4L | ![]() |
NEW P05SCT4018KR-EVK-001 |
从网售平台采办 | |||||
| SCT3XXX series Trench(3G) TO-247 3L/4L | ![]() |
P02SCT3040KR-EVK-001 | 概况 | 从网售平台采办 | ||||
| SiC Module | Drive board | BSM series Planar (2G)(1200V, E / G type) | ![]() |
BSMGD2G12D24-EVK001 | - | 征询 | ||
| BSM series Trench(3G/4G) (1200V,E/G type) | BSMGD3G12D24-EVK001 | - | 征询 | |||||
| BSM series (1200V,C type) | ![]() |
BSMGD3C12D24-EVK001 | - | 征询 | ||||
| BSM series (1700V,E type) | ![]() |
BSMGD2G17D24-EVK001 | - | 征询 | ||||
| BSM series (1200V,1700V E/G type) | ![]() |
2EG-B series | TAMURA | |||||
| Snubber Module | BSM series (1200V, C type) | ![]() |
MGSM1D72J2-145MH26 | ROHM | - | 征询 | ||
| BSM series (1200V, E / G type) | MGSM1D72J2-145MH16 | - | ||||||
| BSM250 (1700V, E type) | MGSM1D72J3-934MH93 | - | ||||||
| AC/DC | Evaluation Board | BM2SCQ123T-LBZ | ![]() |
BM2SCQ123T-EVK-001 | ROHM | - | 从网售平台采办 | |
| SCT2H12NZ | ![]() |
BD7682FJ-LB-EVK-402 | ROHM | 概况 | 从网售平台采办 | |||
评价板概况
P04SCT4018KE-EVK-001/P05SCT4018KR-EVK-001
P04SCT4018KE-EVK-001/P05SCT4018KR-EVK-001是一款可以或许评价接纳TO-247N/TO-247-4L封装的第4代SiC MOSFET的评价板。对所搭载的SiC MOSFET,可以或许挑选并采办所需导通电阻值的器件来停止评价。该评价板中配有栅极驱动器和核心电路,可以或许削减设想和评价工时。

P02SCT3040KR-EVK-001
- 罗姆 SCT3040KR(1200V 40mΩ TO-247-4L)评价用
经由过程转变电路乘数器,可用来评价罗姆其余 SiC-MOSFET - 除TO-247-4L外,另有TO-247-3L的通孔,可在统一评价板上停止对照评价
- 单一电源(+12V任务)
- 可停止最大150A的双脉冲测试,最大开关任务频次500kHz
- 撑持各类电源拓扑(Buck, Boost, Half-Bridge)
- 内置栅极驱动用断绝电源,可经由过程可变电阻调剂(+12V~+23V)
- 可经由过程跳线引脚来切换栅极驱动用负偏压和零偏压
- 可避免高低臂同时导通,内置过电流掩护功效(DESAT, OCP)

评价板和样品采办
[新产物] 4引脚封装SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”
-
罗姆开辟出6款沟槽栅布局SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产物(650V/1200V耐压),很是合用于请求高效力的办事器用电源,太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。
这次新开辟的系列产物,接纳4引脚封装(TO-247-4L),可充实地阐扬出SiC MOSFET自身的高速开关机能。与以往3引脚封装(TO-247N)比拟,开关消耗可下降约35%,很是有助于进一步下降各类装备的功耗。 -
1700V SiC-MOSFET + AC/DC转换器 评价板
该评价板集成了用于SiC驱动和 1700V SiC MOSFET的 ROHM AC/DC转换器节制IC,可以或许或许与大功率产业装备中的帮助电源共同利用。
BD7682FJ-LB-EVK-402
- SiC-MOSFET驱动,ACDC评价板(反激式转换器)
- 搭载1700V SiC-MOSFET SCT2H12NZZ
- 搭载AC/DC转换器节制IC BD7682FJ-LB
- 三相AC400~690V输入 24V/1A输入

文档
- 栅源电压测定时的注重点
-
- 经由过程驱动源极度子改良开关消耗
-
- 缓冲电路的设想方式
-
- 桥式电路相干的Gate-Source电圧的举措
-
- 栅极-源极电压的浪涌按捺方式
-
产物搜刮
相干链接







