总栅极电荷（Qg）

何谓总栅极电荷（Qg）？

"总栅极电荷（Qg）是指为导通（驱动）MOSFET而注入到栅极电极的电荷量。 偶然也称为栅极总电荷。"
单元为库仑（C），总栅极电荷值较大，则导通MOSFET所需的电容充电时候变长，开关消耗增添。数值越小，开关消耗（切换消耗）越小，从而可完成高速开关。

总栅极电荷和导通电阻

如上所述，总栅极电荷的值越小，开关消耗越小。并且，导通电阻值越小，任务时的功耗越小。
但是，总栅极电荷和导通电阻的特征处于衡量干系。
凡是，MOSFET的芯片尺寸（外表积）越小，总电荷量越小，但导通电阻值会变大。
换句话说，开关消耗与任务时的功耗之间存在衡量干系。

静态输出特征

该图为静态输出（Qg –V_GS）的特征例。
在图中，常温下的漏极侧电源电压（V_DD ）和漏极电流（I_D ）是牢固特征， V_DD = 300 V ， I_D = 30A 时所需的最小电荷量约为60nC。此时的栅源电压 （V_GS ） 为6.5V。
现实上是在MOSFET完整导通的环境下，调剂有衡量干系的导通电阻值，从而设定栅源电压（V_GS ） 。
此时，可从图表读取设定电压和总栅极电荷（Q_g）（比方， _VGS = 10 V 时为85nC ， V_GS = 15V 时为 130nC ）。