甚么叫SiC功率器件？SiC SBD
1. 器件布局和特色
SiC能够或许或许以高频器件布局的SBD（肖特基势垒二极管）布局取得600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V摆布）。
是以，若是用SiC-SBD替代此刻支流产物疾速PN结二极管（FRD:疾速规复二极管），能够或许或许较着削减规复消耗。
有益于电源的高效力化，并且经由过程高频驱动完成电感等无源器件的小型化，并且能够或许降噪。 普遍利用于空调、电源、光伏发电体系中的功率调理器、电动汽车的疾速充电器等的功率因数校订电路（PFC电路）和整流桥电路中。
2. SiC-SBD的正向特征
SiC-SBD的开启电压与Si-FRD不异，小于1V。
开启电压由肖特基势垒的势垒高度决议，凡是若是将势垒高度设想得低，开启电压也能够或许做得低一些，可是这也将致使反向偏压时的泄电流增大。
ROHM的第二代SBD经由过程改良制作工艺，胜利地使泄电流和规复机能坚持与旧产物相称，而开启电压下降了约0.15V。
SiC-SBD的温度依存性与Si-FRD差别，温度越高，它的导通阻抗就会增添，从而VF值也增添。
不易发生热失控，以是能够或许安心地并联利用。
3. SiC-SBD的规复特征
Si的疾速PN结二极管（FRD:疾速规复二极管）在从正向切换到反向的刹时会发生极大的瞬态电流，在此时代转移为反向偏压状况，从而发生很大的消耗。
这是因为正向通电时储蓄积累在漂移层内的大都载流子不时地停止电传导直到灭亡（该时候也称为储蓄积累时候）。
正向电流越大，或温度越高，规复时候和规复电流就越大，从而消耗也越大。
与此相反，SiC-SBD是不利用大都载流子停止电传导的大都载流子器件（单极性器件），是以道理上不会发生大都载流子储蓄积累的景象。因为只发生使结电容放电水平的小电流，以是与Si-FRD比拟，能够或许或许较着地削减消耗。
并且，该瞬态电流根基上不随温度和正向电流而变更，以是不论何种情况下，都能够或许或许不变地完成疾速规复。
别的，还能够或许下降由规复电流引发的乐音，到达降噪的结果。
