甚么是晶体管？MOSFET特征

对于MOSFET的寄生容量和温度特征

MOSFET的静电容量

功率MOSFET在机关上，如图1存在寄生容量。
功率MOSFET在机关上，如图1存在寄生容量 MOSFET的G (栅极) 端子和其余的电极间由氧化膜绝缘，DS (漏极、源极) 间组成PN接合，成为内置二极管机关。C_gs, C_gd容量按照氧化膜的静电容量、C_ds按照内置二极管的接合容量决议。

普通而言MOSFET规格书上记录的是表1中的C_iss/C_oss/C_rss三类。

容量特征如图2所示，对DS (漏极、源极) 间电压V_DS存在依靠性。V_DS大则容量值小。

温度特征

实测例见图(1) ~ (3)所示
对于容量特征的温度依存性几近不差别。

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对于MOSFET的开关及其温度特征

对于MOSFET的开关时候

栅极电压ON/OFF以后，MOSFET才ON/OFF。这个提早时候为开关时候。开关时候如表1所示品种，普通而言，规格书上记录t_d(on)/ t_r/ t_d(off)/ t_f。

ROHM按照图2电路的测定值决议规格书的typ.值。

　

表1: MOSFET的SW特征

暗号	内容
td(on)	开启提早时候 (VGS 10%→VDS 90%)
tr	回升时候 (VDS 90%→VDS 10%)
td(off)	封闭提早时候 (VGS 90%→VDS 10%)
tf	降落时候 (VDS 10%→VDS 90%)
ton	开启时候 (td(on) + tr)
toff	封闭时候 (td(off) + tf)

温度特征

实测比方图3(1)~(4)所示。
温度回升的同时开关时候稍微增添，可是100°C回升时增添10%成摆布，几近不开关特征的温度依存性。

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对于MOSFET的V_GS(th)(边界値)

对于MOSFET的V_GS(th)

MOSFET开启时，GS (栅极、源极) 间须要的电压称为V_GS(th)（边界值)。
即输出边界值以上的电压时MOSFET为开启状况。
那末MOSFET在开启状况时能经由过程几多A电流？针对每一个元件，在规格书的电气特征栏里别离有记录。

表1为规格书的电气特征栏示例。该环境下，输出V_DS=10V时，使1mA电流经由过程I_D所需的栅极边界值电压I_D(th)为1.0V to 2.5V。

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I_D-V_GS特征和温度特征

I_D-V_GS特征和边界值温度特征的实测比方图1、2所示。
如图1，为了经由过程绝大局部电流，须要比拟大的栅极电压。
表1所记录的机型，其规格书上的边界值为2.5V以下，可是为4V驱动产物。
利用时请输出使其充实开启的栅极电压。

如图2，边界值随温度而降落。
经由过程察看边界值电压变更，能够或许计较元件的通道温度。