GaN HEMT Power Stage IC_产物搜刮成果_罗姆半导体团体(ROHM Semiconductor)

ROHM Parametric

GaN HEMT Power Stage IC

ROHM的GaN HEMT Power Stage IC可为须要高功率密度和效力的各类电力电子体系供给抱负的处置打算。该产物集下一代功率器件GaN HEMT和为了更大水平地激起GaN HEMT机能而优化的栅极驱动器于一体，撑持2.5V～30V的宽输出电压规模，能够或许与各类节制器IC连系利用。这些特色和上风使其能够或许代替超等结MOSFET等传统的分立功率开关。

ROHM将有助于利用产物的节能和小型化的GaN器件定名为“EcoGaN™系列”，并一直努力于进一步进步器件的机能。别的，ROHM不只努力于元器件的开辟，还与业内相干企业主动成立计谋协作火伴干系并鞭策结合开辟，经由过程助力利用产物的效力晋升和小型化，延续为处置社会题目进献气力。
* EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的牌号或注册牌号。