SiC（碳化硅）肖特基势垒二极管Bare Die
SiC肖特基势垒二极管撑持从整流、旌旗灯号调理和开关等各类利用，首要特色是低功率和疾速开关。另外，与硅基快规复二极管的trr会随温度的降低而增添差别，SiC器件可在低温下坚持恒定的特征，是以能够进步电路机能。
经由过程内置SiC SBD减小套件的尺寸。是以有很多多少来由能够斟酌利用SiC SBD Bare Die。
Bare Die产物并未经由过程搜集发卖，也未在搜集分销商发卖，对于采办请接洽咱们。
SiC肖特基势垒二极管撑持从整流、旌旗灯号调理和开关等各类利用，首要特色是低功率和疾速开关。另外，与硅基快规复二极管的trr会随温度的降低而增添差别，SiC器件可在低温下坚持恒定的特征，是以能够进步电路机能。
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