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内置SiC MOSFET的小型封装型模块(HSDIP20) - BSTxxx1P4K01, BSTxxx2P4K01
2025-04-24 00:00:00.0
( 1.46 MB )
BSTxxx1P4K01(750V)和BSTxxx2P4K01(1,200V)是内置4枚或6枚SiC MOSFET的封装型模块。经由过程将大功率操纵的电源转换电路中所需的根基电路集成到小型模块封装中,助力完成操纵产物的小型化。
BSTxxx1P4K01(750V)和BSTxxx2P4K01(1,200V)是内置4枚或6枚SiC MOSFET的封装型模块。经由过程将大功率操纵的电源转换电路中所需的根基电路集成到小型模块封装中,助力完成操纵产物的小型化。