甚么是晶体管？负载开关

对于负载开关ON时的浪涌电流

负载开关Q1导通刹时会临时流过比稳态电流大很多的电流。输出侧的负载容量C_L的电荷靠近零时，向输出V_O施加电压的刹时会流过大充电电流。
这类流过大电流的景象称作浪涌电流（Flash Current）。
浪涌电流的峰值大致能够经由过程输出电压V_I、MOSFET Q1的R_DS(on)和负载侧负载容量C_L的ESR肯定，输出电压V_IN变大时，电流也响应变大。
浪涌电流明显变大时，有能够会引发误举措和体系题目。
并且，在跨越最大额外电流时，有致使粉碎的风险。经由过程与MOSFET Q1的栅极、源极间电阻R₁并联追加电容器C2， 并迟缓下降Q1的栅极电压，能够迟缓地使R_DS(on)变小，从而能够按捺浪涌电流。

■负载开关等效电路图

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对于Nch MOSFET负载开关ON时的浪涌电流应答办法

■Nch MOSFET负载开关等效电路图

Nch MOSFET 负载开关：RSQ020N03
V_IN=5V, I_O=1A,　Q1_1G=1V→12V

• Q2 OFF时，负载SWQ1 ON。（Q1的栅极电压设定在V_O(V_GSQ1)之上。）
• Q2 ON时，负载SWQ1 OFF。
• Q1 ON时，因为会流过浪涌电流，以是作为应答办法追加C2。

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对于负载开关OFF时的逆电流

即便在负载开关Q1从ON到OFF时，因为存在输出侧负载容量CL，以是输出V_O引脚的电压会残留必然时候。
输出V_I侧比输出V_O侧电压低时，因为MOSFET Q1的漏极、源极间存在寄生二极管，以是偶然寄生二极管导通会产生从输出V_O侧到输出V_IN侧的逆电流。
要注重，不要跨越MOSFET Q1的额外电流值。
对于输出旁路电容器C_IN的容量值，请在充实切磋负载侧前提、回升时候后再决议。