甚么是GaN HEMT？
GaN HEMT中的“HEMT”是“High Electron Mobility Transistor”的首字母缩写，意为“高电子迁徙率晶体管”。
高电子迁徙率晶体管是利用了电子迁徙率高的半导体材料的晶体管，可完成高速开关（高频任务）。
GaN HEMT的布局
Si MOSFET是垂直布局，而GaN HEMT是横向布局。
GaN晶体在Si衬底上发展，并在其上组成AlGaN（氮化铝镓）层。
当在GaN上发展AlGaN薄膜时，因为压电效应，良多电子堆积在界面处，组成高迁徙率的二维电子气（2DEG：2Dimensional Electron Gas）层。将这一层用作电流途径。
之以是利用Si衬底，是因为它比其余材料更轻易大口径化，合适大规模出产。
别的，因为GaN和Si的热收缩系数差较大，是以晶体发展后降温时会发生较大的应力，能够或许会致使衬底分裂开裂。
为了和缓这类应力而设置了缓冲层。
开关消耗
与Si MOSFET比拟，GaN HEMT的开关消耗明显下降。
利用GaN HEMT能够或许大幅下降开关消耗，从而能够或许进一步进步电源体系的效力。
与Si MOSFET比拟，
GaN HEMT可大幅下降开关消耗
其余特征比拟
下表中对Si SJ（Super Junction：超等结）MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT等功率器件的普通特征（650V电压级）停止了比拟。
从表中能够或许看出，在合用GaN HEMT的中等耐压、中等功率规模，其开关特征上风明显。
| Si SJ MOSFET | SiC MOSFET | GaN HEMT | |
|---|---|---|---|
| 耐压 | 650V | 650V | 650V |
| 撑持大电流 | 〇 | 〇 | △ |
| 高速开关特征 | △ | 〇 | ◎ |
| Ron・Qg*1 | 1*2 | 0.63 | 0.1 |
| 开关速率 | 1*2 | 2 | 10 |
| Qrr*3 | 0.73μC | 0.25μC | 0nC |
*1：表现开关机能的指数。该值越小，开关机能越好。
*2：设Si SJ MOSET的Ron･Qg和开关速率为1。
*3：GaN HEMT是漏-源之间不寄生PN结，是以反向导通时的反向规复电荷为“0”。
