甚么是GaN？
GaN（Gallium Nitride：氮化镓）是由Ga（镓）元素和N（氮）元素组成的化合物半导体材料。
化合物半导体是一种由两种或两种以上的元素连系在一路的半导体。
其余化合物半导体另有SiC（Silicon Carbide：碳化硅）、GaAs（Gallium Arsenide：砷化镓）和InAs（Indium Arsenide：砷化铟）等。
与Si的物理特征比拟，GaN在低温任务、高速任务、任务极限电压和低功耗等方面都具备更超卓的物理特征。
别的，与Si比拟，GaN和SiC的带隙更宽，被称为“宽带隙半导体”。带隙越宽，能够完成的耐压才能越高。
点击检查半导体物理特征比拟表 >
Electron Mobility(cm2/Vs)：GaN（2DEG=2Dimensional Electron Gas） 1500~2000
甚么是带隙？
电子所能具备的能量是与被称为“能级”的电子轨道（s轨道、p轨道）相对应的特定值。这个能级的规模称为“能带”。
此中，能级高的能带称为“导带”，能级低的能带称为“价带”。
别的，能带之间不许可电子存在的规模是“禁带”，导带底与价带顶之间的能级差称为“带隙”。
换句话说，带隙是电子从价带跃迁到导带所需的能量。
Si的带隙为1.12eV，SiC的带隙为3.26eV，GaN的带隙为3.5eV，此中GaN的带隙值最大。
带隙的单元是eV（电子伏特），界说是“一个电子颠末1伏特的电压加快后所取得的动能”，1[eV]≒1.602×10-19[J]
当温度降低时，会产生热能致使电子从价带跃迁到导带的景象（本征激起）。
宽带隙半导体GaN和SiC须要比Si更高的热能才会产生电子跃迁。是以，GaN和SiC能够完成更高耐压。
