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【利用案例】菊水电子产业股份有限公司　20kW双向大容量直流电源

ROHM的SiC MOSFET有助于大功率双向电源完成更小型、更高效和更高靠得住性

菊水电子产业股份有限公司　20kW双向大容量直流电源

利用概况（产物开辟背景）

在向碳中和时期成长的历程中，在EV（纯电动汽车）、PHV（插电式夹杂能源汽车）、FCV（燃料电池汽车）等的开辟现场，逆变器和机电等的测试装备对大容量双向电源的须要愈来愈大。针对这类市场须要，菊水电子产业股份有限公司开辟出尺寸为3U、功率为20kW的双向大容量直流电源。以往划一尺寸的产物最大功率只要8kW，而用户须要的是“功率为20kW、且撑持双向任务的电源”，是以其开辟难度不可思议。特别是要想以划一尺寸完成这一须要，就须要将功率密度前进一倍以上，并须要经由过程改良以往的电路体例来前进功率密度。是以，为了前进效力并完成双向运转（再生运转），在凡是利用整流桥和升压斩波式PFC的一次侧电路中，接纳了由三组桥臂构成的三相逆变电路。

利用概况（接纳SiC MOSFET的背景）

最后，咱们打算在三相逆变器中利用具备高耐压和低导通电阻特征的IGBT。但是，固然咱们用内置二极管的IGBT来使扼流线圈的能量回流，但因为反向规复时候 (trr) 较长，发生刹时纵贯电流，形成效力降落，致使器件发烧和浪涌状噪声。此中，器件发烧不只会致使电气特征变差，还会致使器件破坏，是影响产物宁静性的风险题目。咱们还斟酌了给未内置二极管的IGBT外置FRD或SiC二极管等体例，但这类做法会增添电路尺寸，存在空间方面的题目。终究，经由过程利用ROHM的SiC MOSFET，胜利地处置了上述题目，是以咱们决议接纳ROHM的产物。

＜客户反应＞

・菊水电子产业股份有限公司 开辟担任

经由过程各类测验考试，咱们肯定ROHM的SiC MOSFET能够处置咱们所面对题目标最好打算。咱们从高耐压、高速反向规复特征（反向规复时候短）、低导通电阻、低封装热阻和日本国际半导体制作商的相信度和办事撑持速率等方面停止了综合评价，终究决议接纳ROHM的产物。绝不夸大地说，这个决议增进了效力更高、靠得住性更超卓的3U20kW双向大容量直流电源的降生。

接纳的产物

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对于客户

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1951年创建的菊水电子产业股份有限公司颠末重组后成为控股公司，本公司担当了其公司名和开辟和发卖的营业。作为撑持电子手艺根本的丈量仪器和电源装备的专业制作商，此后咱们将自始自终用坚固的手艺气力与诚信，为国际外客户供给可相信的产物与办事，同时为客户的出产制作做出进献。
本公司将承袭“主动朝上前进、与社会及情况配合前进、为缔造加倍丰硕多彩的糊口进献气力”这一理念，主动展开各项奇迹。

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